Görsel mevcut değil
GT30N135SRA,S1E
GT30N135SRA,S1E Hakkında
GT30N135SRA,S1E, Toshiba tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 60A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, şalter modlu güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel invertör sistemlerinde kullanılır. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük açılış kayıpları sağlar. Maksimum 348W güç taşıyabilir ve 175°C'ye kadar çalışabilir. 270nC gate charge ve 1.3mJ kapalı anahtarlama enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
270 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
348 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
-, 1.3mJ (off)
Test Condition
300V, 60A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V