Görsel mevcut değil
GT30J341,Q
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
GT30J341,Q Hakkında
GT30J341,Q, Toshiba tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A collector akımında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 230W güç kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında, invertör devreleri, motor kontrol sistemleri ve kaynak cihazlarında kullanılır. 2V düşük VCE(on) değeri ile enerji kayıplarını minimize eder. 50ns reverse recovery time ve 800µJ on-switching, 600µJ off-switching enerjisi ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına uygundur. 175°C maksimum junction sıcaklığında güvenli işletme sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
59 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
230 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-3P(N)
Switching Energy
800µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
80ns/280ns
Test Condition
300V, 30A, 24Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V