Görsel mevcut değil
GT30J121(Q)
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 30A 170W TO3PN
GT30J121(Q) Hakkında
GT30J121(Q), Toshiba tarafından üretilen 600V 30A IGBT transistördür. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu tekil IGBT, maksimum 170W güç seviyesinde çalışır. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 30A kollektör akımında 2.45V'tur. Pulse akımı 60A'ye ulaşabilen bileşen, 90ns açılış ve 300ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Switching energy değerleri 1mJ (açılış) ve 800µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Through Hole montajı destekleyen bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sistemleri, güç elektronikleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Aktif üretim durumunda olan komponent, standart input tipi özelliği ile geniş uygulamalar için uygunluk sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
170 W
Supplier Device Package
TO-3P(N)
Switching Energy
1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
90ns/300ns
Test Condition
300V, 30A, 24Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V