Görsel mevcut değil
GT20N135SRA,S1E
GT20N135SRA,S1E Hakkında
GT20N135SRA,S1E, Toshiba tarafından üretilen yüksek voltaj Discrete IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1350V breakddown voltajı ve 40A collector akımı ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.4V on-state voltajı ve 185nC gate charge karakteristiği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında 312W güç kapasitesiyle, güç elektronikleri, motor kontrolü, kaynak cihazları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyon mümkündür.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
185 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
312 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
-, 700µJ (off)
Test Condition
300V, 40A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V