Görsel mevcut değil
GT10J312(Q)
GT10J312(Q) Hakkında
GT10J312(Q), Toshiba tarafından üretilen 600V 10A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. Collector-Emitter gerilimi 2.7V (15V gate voltajında, 10A'de) ve 400ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 20A pulse current kapasitesiyle geçici yüksek akım durumlarına dayanabilir. Ürün Toshiba katalogunda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Supplier Device Package
TO-220SM
Td (on/off) @ 25°C
400ns/400ns
Test Condition
300V, 10A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V