Görsel mevcut değil
GT10G131(TE12L,Q)
- Üretici
- Toshiba
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 400V 1W 8-SOIC
GT10G131(TE12L,Q) Hakkında
GT10G131(TE12L,Q), Toshiba tarafından üretilen 400V breakdown voltajı ile çalışan yüksek hızlı IGBT transistörüdür. 8-SOIC paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. Maksimum 200A pulse collector akımı ve 1W güç dağıtımına sahip bu bileşen, Vce(on) değeri 2.3V (4V gate voltajında, 200A collector akımında) ile karakterizedir. Açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 3.1µs ve 2µs olup, 150°C'ye kadar çalışır. Standart input tipine sahip bu IGBT, switching uygulamaları, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)
Td (on/off) @ 25°C
3.1µs/2µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 4V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V