Görsel mevcut değil
FZ1800R12HP4B9HOSA2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MODULE 1200V 2700A
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Hakkında
FZ1800R12HP4B9HOSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/2700A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanmış bu trench tipi IGBT modülü, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 10500W güç kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, konverterler, kaynakçı devreler ve renewable energy sistemlerinde tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 1800A akımda 2.05V olup, -40°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile yüksek akım uygulamalarında soğutma yüzeylerine direkt bağlantı imkanı sunar. Standard giriş karakteristiği ve 110nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı verir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max)
2700 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
110 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
10500 W
Supplier Device Package
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 1800A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V