Görsel mevcut değil
FPF2C8P2NL07A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FPF2C8P2NL07A Hakkında
FPF2C8P2NL07A, Rochester Electronics tarafından üretilen üç fazlı Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modülüdür. Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 650V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Chassis mount tipi F2 modül pakette sunulan cihaz, -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 135W maksimum güç yönetebilir. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık koruması sağlayan bu modül, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter ve motor sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Configuration
Three Phase
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
IGBT Type
Field Stop
Input
Standard
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
F2 Module
Part Status
Active
Power - Max
135 W
Supplier Device Package
F2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V