Görsel mevcut değil
FPF1C2P5MF07AM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FPF1C2P5MF07AM Hakkında
FPF1C2P5MF07AM, Rochester Electronics tarafından üretilen Full Bridge Inverter konfigürasyonunda Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modülüdür. 39A kolektör akımı ve 620V kırılma voltajı ile tasarlanan bu bileşen, endüstriyel sürücü uygulamalarında ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Tek faz köprü doğrultma giriş yapısına sahip olan modül, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Şasi montajı için uygun olan F1 Module paketinde sunulan FPF1C2P5MF07AM, maksimum 231W güç yönetimi sağlar ve 1.6V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Configuration
Full Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
39 A
Current - Collector Cutoff (Max)
25 µA
Input
Single Phase Bridge Rectifier
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
F1 Module
Part Status
Active
Power - Max
231 W
Supplier Device Package
F1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
620 V