Görsel mevcut değil
FJYF2906PWD
FJYF2906PWD Hakkında
FJYF2906PWD, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V maksimum Vce breakdown voltajı ve 150mA maksimum kollektor akımı ile, hassas sinyal işleme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 250MHz geçiş frekansı, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında etkinlik sağlar. SOT-563 (SOT-666) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans verir. Maksimum 150mW güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, RF devreleri ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
SOT-563F
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V