Görsel mevcut değil
FJV3105RMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
FJV3105RMTF Hakkında
FJV3105RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN pre-biased bipolar junction transistörleridir (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistörler, maksimum 100mA kollektör akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. Entegre 4.7kΩ ve 10kΩ base-emitter dirençleri bulunmaktadır. 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 200mW maksimum güç ile tasarlanmıştır. Pre-biased yapısı sayesinde hızlı switching uygulamalarında ve sinyal kipleme devrelerinde kullanılır. Analog sinyal işleme, darbe amplifikasyonu ve anahtar devrelerinde tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
250 MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200 mW
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V