Görsel mevcut değil
FJV3103RMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
FJV3103RMTF Hakkında
FJV3103RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön-önyüklü bipolar transistördür. Entegre olarak 22 kΩ baz ve 22 kΩ emitter-baz dirençlerini içeren bu bileşen, düşük güç uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 250 MHz geçiş frekansı ve 50 V VCEO ile sinyal işleme, lojik devre kontrolü ve küçük güç amplifikasyonu uygulamalarına uygundur. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan komponentin maksimum güç kapasitesi 200 mW olup, 56 minimum hFE değeri sabit kazanç özellikleri sağlar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
250 MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200 mW
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V