Görsel mevcut değil
FJV3102RMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
FJV3102RMTF Hakkında
FJV3102RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde pre-biased küçük sinyal bipolar transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, 10 kΩ baz ve 10 kΩ emitter-baz dahili direnç ağlarına sahiptir. 250 MHz transition frequency ve 100 mA maksimum collector akımı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50 V breakdown voltajı ve 200 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü sinyalleme devrelerinde, RF uygulamalarında, ses frekans amplifikatörlerinde ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
250 MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200 mW
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V