Görsel mevcut değil
FJV1845EMTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.05A, 120V, NPN
FJV1845EMTF Hakkında
FJV1845EMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 120V kolektör-emitter breakdown voltajı, 50mA maksimum kolektör akımı ve 300mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. 110MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC current gain değeri 1mA'de minimum 400'dür. Vce saturation voltajı düşük olup (300mV @ 1mA, 10mA), amplifikasyon ve dijital lojik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanabilir. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
110MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V