Görsel mevcut değil
FJP5021OTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 500V 5A TO220-3
FJP5021OTU Hakkında
FJP5021OTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 500V collector-emitter breakdown voltajına ve 5A maksimum collector akımına sahiptir. 50W maksimum güç kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Temel teknik özellikler: 600mA akımda 20 minimum DC current gain (hFE), 1V maksimum saturation voltajı (3A'de), 18MHz transition frequency ve 150°C maksimum junction sıcaklığı içerir. 10µA maksimum collector cutoff akımı (ICBO) ile düşük sızıntı akımı karakteristiğine sahiptir.
Anahtarlama devrelerinde, güç amplifikasyonunda ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Temel teknik özellikler: 600mA akımda 20 minimum DC current gain (hFE), 1V maksimum saturation voltajı (3A'de), 18MHz transition frequency ve 150°C maksimum junction sıcaklığı içerir. 10µA maksimum collector cutoff akımı (ICBO) ile düşük sızıntı akımı karakteristiğine sahiptir.
Anahtarlama devrelerinde, güç amplifikasyonunda ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 600mA, 5V
Frequency - Transition
18MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V