Görsel mevcut değil
FJN3301RTA
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
FJN3301RTA Hakkında
FJN3301RTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter breakdown voltajına ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. Maksimum 300mW güç tüketimine sahip olan transistör, 250MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. 10mA collector akımında 20 minimum DC current gain (hFE) değeri bulunmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 300mV saturation voltajı ile düşük power consumption gerektiren devrelerde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir. Genel sinyal amplifikasyon, switching ve darbe işleme devrelerinde uygulanabilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V