Görsel mevcut değil
FJD5555TM
FJD5555TM Hakkında
FJD5555TM, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 400V collector-emitter bozulma voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile karakterize edilir. 1.34W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olup, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 1.5V VCE(sat) saturasyon voltajı düşük kayıplar sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 800mA, 3V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.34 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V