Görsel mevcut değil
FJD5553TM
FJD5553TM Hakkında
FJD5553TM, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 400V kollektör-emitter voltajı ve 3A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.25W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle güç yönetimi devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahiptir. Surface mount montaj tipi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 400mA, 3V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V