Görsel mevcut değil
FJD5304DTF
FJD5304DTF Hakkında
FJD5304DTF, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir diskret yarıiletken bileşenidir. 400V Vce(BR)DSS ile yüksek voltaj dielektrik dayanımına sahip bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı ve 30W güç yeteneği ile power amplifier, anahtar devreler, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt PCB tasarımları için uygundur ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V