Görsel mevcut değil
FJD3305H1TM
FJD3305H1TM Hakkında
FJD3305H1TM, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük-orta frekans sinyal işlemede tercih edilir. 1V saturation voltajı ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 1.1W güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.1 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V