Görsel mevcut değil
FJD3076TM
FJD3076TM Hakkında
FJD3076TM, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2A kollektör akımı ve 32V çalışma voltajı kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. 130 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ve 800mV saturation voltajı ile düşük sinyal kaybı sağlar. Maksimum 1W güç tüketimi ile sınırlı olup, 150°C'ye kadar işletilme sıcaklığında çalışabilir. Düşük gürültülü amplifikatörler, anahtarlama devreleri ve orta güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Tek kutuplu tasarımı sayesinde kompakt elektronik cihazlarda tercih edilmektedir. NOT: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
130 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V