Görsel mevcut değil
FJD3076TF
FJD3076TF Hakkında
FJD3076TF, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. 100MHz transition frequency ile sinyal işleme devrelerinde, sürücü kademeleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 800mV doyum gerilimi ve 130 minimum DC akım kazancı ile verimli amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
130 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V