Görsel mevcut değil
FJB5555TM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, NP
FJB5555TM Hakkında
FJB5555TM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi power bipolar transistördür. Surface Mount D²Pak (TO-263) pakette sunulan bu transistör, maksimum 5A collector akımı ve 400V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 1.6W güç kapasitesine sahip olan bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. DC current gain değeri 800mA, 3V koşullarında minimum 20'dir. Vce saturation voltajı 1A, 3.5A koşullarında maksimum 1.5V'dir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve güç kontrol sistemlerinde kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 800mA, 3V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
1.6 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V