Görsel mevcut değil
FJB3307DTM
FJB3307DTM Hakkında
FJB3307DTM, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.72W güç dağıtımı kapasitesi, düşük saturation voltajı (3V) ve 150°C sıcaklık sınırı, onu güç anahtarlama, motor kontrol, enerji yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygun hale getirir. Surface mount tasarımı kompakt PCB uygulamalarında avantaj sağlar. Bileşen presently obsolete konumundadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
5 @ 5A, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.72 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 2A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V