Görsel mevcut değil
FJB3307DTM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 40
FJB3307DTM Hakkında
FJB3307DTM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde güç transistörüdür. Maksimum 8A kolektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, 400V breakdown voltajı ve 1.72W maksimum güç yeteneği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Surface Mount paketlemesi (D²Pak/TO-263-3) sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, invertörler ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 5A ve 5V koşullarında minimum 5 DC current gain değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
5 @ 5A, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
1.72 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 2A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V