Görsel mevcut değil
FGY75T95SQDT
FGY75T95SQDT Hakkında
FGY75T95SQDT, onsemi tarafından üretilen 950V/75A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 434W maksimum güçte çalışabilir ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç çevirici sistemleri, hızlı anahtarlamalı uygulamalar, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda kullanılır. 137nC gate charge ve 8.8mJ açılış, 3.2mJ kapanış switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. Collector-Emitter doyum gerilimi 2.11V (@15V, 75A) ve 259ns reverse recovery time karakteristikleri ile yüksek hızlı switching işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Ürün üretimi durdurulmuş olup, stok tükenene kadar tedarik edilmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
137 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
434 W
Reverse Recovery Time (trr)
259 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28.8ns/117ns
Test Condition
600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.11V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
950 V