Görsel mevcut değil
FGY75T120SQDN
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 75A UFS
FGY75T120SQDN Hakkında
FGY75T120SQDN, onsemi tarafından üretilen 1200V 75A kapasiteli Field Stop tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketlemesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. Maksimum collector akımı 150A, pulse akımı ise 300A'e ulaşmaktadır. Kolektör-emiter doyum voltajı (Vce(on)) 1.95V olup, çıkış enerji kaybı 1.96mJ seviyesindedir. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu IGBT, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve enerji dönüştürücülerine uygulanmaktadır. 399nC gate yükü ve 99ns geri iyileşme süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
399 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
790 W
Reverse Recovery Time (trr)
99 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
64ns/332ns
Test Condition
600V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V