Görsel mevcut değil
FGY60T120SQDN
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 60A UFS
FGY60T120SQDN Hakkında
FGY60T120SQDN, onsemi tarafından üretilen 1200V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 120A maksimum collector akımı ile çalışmak üzere tasarlanmış olup, 240A pulse akıma kadar desteklemektedir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, elektrik motor sürücülerinde, UPS sistemlerinde ve kaynak makinelerinde kullanılmaktadır. 1.95V VCE(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 517W maksimum güç yeteneği ve 52ns/296ns hızlı anahtarlama süresi sayesinde etkili enerji yönetimi mümkündür.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
311 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
517 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C
52ns/296ns
Test Condition
600V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V