Görsel mevcut değil
FGP30N6S2D
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 45A 167W TO220AB
FGP30N6S2D Hakkında
FGP30N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 45A sürekli kolektör akımı ve 108A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 167W güç seviyesinde çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 23nC gate charge ve 6ns/40ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. Vce(on) maksimum değeri 2.5V @ 15V, 12A olup 55µJ on ve 100µJ off switching energy değerlerine sahiptir. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
55µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/40ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V