Görsel mevcut değil
FGL60N100BNTDTU
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 60A 180W TO264
FGL60N100BNTDTU Hakkında
FGL60N100BNTDTU, onsemi tarafından üretilen 1000V 60A kapasiteli NPT ve Trench teknolojisi IGBT transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 180W güç dağıtabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 60A akımda 2.9V olup, 275nC gate charge'a sahiptir. Reverse recovery time 1.2µs ile anahtarlama hızı belirlenmiş, açılış/kapanış gecikmesi 25°C'de sırasıyla 140ns/630ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, darbe akımında 120A'e kadar yükselebilir. Yüksek voltajlı güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
275 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
1.2 µs
Supplier Device Package
TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C
140ns/630ns
Test Condition
600V, 60A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V