Görsel mevcut değil
FGL60N100BNTD
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1000V 60A 180W TO264
FGL60N100BNTD Hakkında
FGL60N100BNTD, onsemi tarafından üretilen 1000V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-264-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60A kollektör akımı ve 180W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. NPT ve Trench teknolojisini birleştiren bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrollerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 1000V breakdown voltajı sayesinde endüstriyel ve tıbbi ekipmanlar gibi yüksek voltaj gerektiren uygulamalara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 275nC gate charge ve 140ns açılış/630ns kapanış süreleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
275 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
180 W
Reverse Recovery Time (trr)
1.2 µs
Supplier Device Package
TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C
140ns/630ns
Test Condition
600V, 60A, 51Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1000 V