Görsel mevcut değil
FGH60T65SQD-F155
FGH60T65SQD-F155 Hakkında
FGH60T65SQD-F155, onsemi tarafından üretilen 650V/120A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 79nC gate charge ve 227µJ (açılış) / 100µJ (kapanış) switching energy özellikleriyle düşük kayıp devrelere imkan tanır. Vce(on) değeri 60A'de 2.1V olup, maksimum güç yayılımı 333W'dır. İletim hızı (Td on/off) 20.8ns/102ns aralığında ve reverse recovery time 34.6ns'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
79 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
333 W
Reverse Recovery Time (trr)
34.6 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
227µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20.8ns/102ns
Test Condition
400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V