Görsel mevcut değil
FGH50N6S2D
FGH50N6S2D Hakkında
FGH50N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V/75A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 75A DC collector akımı ve 240A pulse akımı ile güç elektronikleri devrelerinde etkili çalışır. Gate charge değeri 70 nC olup, switching energy değerleri on için 260µJ, off için 250µJ'dir. Vce(on) maksimum 2.7V @ 15V, 30A koşullarında ölçülmüştür. Ürün -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmış olup, maksimum 463W güç dağıtabilir. Reverse recovery time 55ns, delay time on/off ise 13ns/55ns'dir. Bu IGBT, şu an üretimden kaldırılmış (Obsolete) ancak mevcut stokların kullanılması mümkündür. AC/DC konverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
70 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
463 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
260µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/55ns
Test Condition
390V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V