FGH40T120SMD-F155

Üretici: onsemi
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

FGH40T120SMD-F155 Hakkında

FGH40T120SMD-F155, onsemi tarafından üretilen 1200V/80A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu komponent, 555W maksimum güç kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel sürücü uygulamaları, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 2.4V düşük açık durumu gerilimi (Vce(on)) ve 65ns reverse recovery time ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 370nC gate charge ile kontrol edilebilir.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 80 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A

Gate Charge 370 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 555 W

Reverse Recovery Time (trr) 65 ns

Supplier Device Package TO-247-3

Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 40ns/475ns

Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V