Görsel mevcut değil
FGH40N6S2D
FGH40N6S2D Hakkında
FGH40N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketi ile sunulan bu komponent, 75A sürekli kolektör akımı ve 180A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 290W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 35nC gate charge ve düşük switching energy değerleriyle (115µJ turn-on, 195µJ turn-off) yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. Vce(on) tipik değeri 15V gate voltajında 20A akımda 2.7V'tur. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Güç dönüştürme, motor kontrolü ve switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu model kullanım dışı (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
35 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Reverse Recovery Time (trr)
48 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
115µJ (on), 195µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/35ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V