Görsel mevcut değil
FGH30T65UPDT-F155
FGH30T65UPDT-F155 Hakkında
FGH30T65UPDT-F155, onsemi tarafından üretilen 650V/60A IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisinde tasarlanmış bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum 250W güç kapasitesine sahip olan transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.3V (15V, 30A'de) ile düşük iletim kaybına sahiptir. Gate yükü 155nC, ters iyileştirme süresi 43ns'dir. Açma/kapanma gecikmesi sırasıyla 22ns/139ns olarak belirtilmiştir. Switching enerji değerleri açma için 760µJ, kapanma için 400µJ'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu IGBT, endüstriyel denetim, motor sürücüler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Part status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
155 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
760µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/139ns
Test Condition
400V, 30A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V