Görsel mevcut değil
FGH30N60LSDTU
FGH30N60LSDTU Hakkında
FGH30N60LSDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 60A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 480W maksimum güç kapasitesiyle, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertör devreleri ve kaynak makineleri gibi ağır yük uygulamalarında tercih edilir. 225nC gate charge ve 18ns açılış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, farklı ortam koşullarında güvenilir işletme imkanı verir. Vce(on) değeri 1.4V ile düşük iletim kaybı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
225 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
480 W
Reverse Recovery Time (trr)
35 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.1mJ (on), 21mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/250ns
Test Condition
400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V