Görsel mevcut değil
FGH20N6S2D
FGH20N6S2D Hakkında
FGH20N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 28A sürekli kolektör akımı ve 40A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 125W güç yayılımı ile çalışabilen komponent, -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.7V Vce(on) karakteristiği ve 30nC gate charge değeri ile düşük konversiyon kayıpları sağlar. Hızlı anahtarlama özellikleri (on: 7.7ns, off: 87ns) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak makineleri ve güç elektronik devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanım için uygundur. Bileşen üretilmeyip piyasada bulunmamaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
25µJ (on), 58µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
7.7ns/87ns
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V