FGD5T120SH

Üretici: onsemi
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

FGD5T120SH Hakkında

FGD5T120SH, onsemi tarafından üretilen 1200V/5A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10A maksimum kolektör akımı ve 69W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalara uygundur. 4.8ns açılış ve 24.8ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 6.7nC gate charge değerine sahiptir.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 10 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 12.5 A

Gate Charge 6.7 nC

IGBT Type Trench Field Stop

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Active

Power - Max 69 W

Supplier Device Package TO-252AA

Switching Energy 247µJ (on), 94µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 4.8ns/24.8ns

Test Condition 600V, 5A, 30Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V