FGD3N60UNDF

Üretici: onsemi
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: IGBT 600V 6A 60W DPAK

FGD3N60UNDF Hakkında

FGD3N60UNDF, onsemi tarafından üretilen 600V/6A NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) SMD paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 60W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 1.6nC gate charge ve 52µJ on-state, 30µJ off-state switching energy özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21ns reverse recovery time ile düşük ters kurtarma kaybına ve 2.52V (15V, 3A) VCE(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 6 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 9 A

Gate Charge 1.6 nC

IGBT Type NPT

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Active

Power - Max 60 W

Reverse Recovery Time (trr) 21 ns

Supplier Device Package TO-252AA

Switching Energy 52µJ (on), 30µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 5.5ns/22ns

Test Condition 400V, 3A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V