Görsel mevcut değil
FGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM Hakkında
FGD3N60LSDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Maksimum 6A collector akımı ve 40W güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 25A pulse akımı kabiliyeti ve 12.5 nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 234 ns reverse recovery time ve 250µJ (açılış), 1mJ (kapanış) switching energy özellikleriyle güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Motor sürücüleri, UPS sistemleri, endüstriyel invertörler ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. 1.5V Vce(on) değeriyle düşük açılış kaybı sağlar. Aktif ürün statüsü ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
12.5 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Reverse Recovery Time (trr)
234 ns
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
250µJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/600ns
Test Condition
480V, 3A, 470Ohm, 10V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 10V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V