Görsel mevcut değil
FGD3440G2
FGD3440G2 Hakkında
FGD3440G2, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 400V Vce(BR) darbelenme gerilimi ile tasarlanmış olup, maksimum 26.9A kollektör akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 166W maksimum güç dağıtabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 24nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Lojik seviyesi giriş kontrolü ile uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
26.9 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
166 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/5.3µs
Test Condition
300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.2V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V