Görsel mevcut değil
FGD3050G2V
FGD3050G2V Hakkında
FGD3050G2V, onsemi tarafından üretilen 500V IGBT transistörüdür. 32A maksimum collector akımı ve 27A nominal akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DPAK-3 (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 150W maksimum güç dağıtabilir. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Vce(on) değeri 1.2V olup, güç kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel sürücü devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, enerji dönüştürme sistemlerinde ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.2V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V