Görsel mevcut değil
FGD3050G2
FGD3050G2 Hakkında
FGD3050G2, onsemi tarafından üretilen 500V breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 32A maksimum collector akımı ve 150W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 6A'de 1.2V olarak belirtilmiştir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile gelen bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışır. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel sürücü devreler, elektrik motor kontrolü, DC/DC konverterler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.2V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V
İlgili Ürünler
