Görsel mevcut değil
FGD3040G2_SN00297
FGD3040G2_SN00297 Hakkında
FGD3040G2_SN00297, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 DPak yüzey montajı paketidir. 41 A maksimum collector akımı, 400 V collector-emitter gerilimi ve 150 W maksimum güç desteği ile tasarlanmıştır. 1.25 V maksimum Vce(on) değeri ve 4.8 µs kapalı geçiş süresi özellikleri vardır. 21 nC gate charge ile lojik seviyesi kontrol edilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, motor sürücülerinde, invertör devrelerinde ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.25V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V