Görsel mevcut değil
FGD2N40L
FGD2N40L Hakkında
FGD2N40L, onsemi tarafından üretilen 400V Collector-Emitter diyot gerilimli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 7A sürekli collector akımı ve 29A puls collector akımına kadir olup, 29W maksimum güç tüketimi ile çalışabilir. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 47ns açılış ve 650ns kapanış hızlarıyla anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç denetimi, motor sürücüleri, invertör devreleri ve değiştiriciler gibi anahtarlamalı güç uygulamalarında tercih edilir. Logic seviyesi giriş sinyalleri ile uyumlu olup, 11nC gate yükü ile düşük sürüş gücü gerektirir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
29 A
Gate Charge
11 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
29 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
47ns/650ns
Test Condition
300V, 2.5A, 51Ohm, 4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 2.4V, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V