Görsel mevcut değil
FGB7N60UNDF
FGB7N60UNDF Hakkında
FGB7N60UNDF, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V kolektör-emiter bozulma gerilimi ve 14A maksimum kolektör akımı ile çalışır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 18 nC kapı yükü ve 99µJ açılış / 104µJ kapanış enerjisi özellikleriyle anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Komponentin Part Status Obsolete olduğu için yeni tasarımlarda alternatif ürünlerin incelenmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
21 A
Gate Charge
18 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
83 W
Reverse Recovery Time (trr)
32.3 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
99µJ (on), 104µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
5.9ns/32.3ns
Test Condition
400V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V