Görsel mevcut değil
FGB40N6S2T
FGB40N6S2T Hakkında
FGB40N6S2T, onsemi tarafından üretilen 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 75A maksimum collector akımı ve 290W güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, inverter devrelerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 35nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlayarak enerji verimliliğini artırır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
35 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
115µJ (on), 195µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/35ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V