Temsili kılıf görseli · Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
FGB30N6S2DT
FGB30N6S2DT Hakkında
FGB30N6S2DT, onsemi tarafından üretilen 600V sınıfı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 45A maksimum kollektör akımı ve 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız ve düşük kayıp karakteristiği sunar. 6ns açılış ve 40ns kapanış hızı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yük anahtarlamalarında kullanılan endüstriyel uygulamalara uygundur. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/40ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
