Görsel mevcut değil
FGB30N6S2DT
FGB30N6S2DT Hakkında
FGB30N6S2DT, onsemi tarafından üretilen 600V sınıfı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 45A maksimum kollektör akımı ve 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. TO-263AB (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek hız ve düşük kayıp karakteristiği sunar. 6ns açılış ve 40ns kapanış hızı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yük anahtarlamalarında kullanılan endüstriyel uygulamalara uygundur. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/40ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V