Görsel mevcut değil
FGB30N6S2D
FGB30N6S2D Hakkında
FGB30N6S2D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 45A DC collector akımı ve 108A pulse akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 167W güç kapasitesi ile inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve switching uygulamalarında yer alır. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 6ns açılış ve 40ns kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 23nC gate charge ve 55µJ/100µJ switching energy özellikleri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
55µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/40ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V